没错，我就是行走在科技前沿的当红炸子鸡，诨号“万金油”的湖南氧化铟。

没错，我就是行走在科技前沿的当红炸子鸡，诨号“万金油”的湖南氧化铟。基于In2O3纳米纤维集成的FET关态电流大且偏压稳定性较差。主要怪我此形态的电子浓度过高，随时在暴走的边缘疯狂试探。诸多研究后，科研工作者发现掺杂工艺是简单有效的“镇静剂”，而且易于实现规模化。

果然，在B、Si、Gd等元素的帮助下，现在的我已经能够有效抑制氧空位和电子浓度，提高纳米纤维FET器件的场效应迁移率，并降低器件的关态电流。

MOS-FET凭借电学特性优良、制造工艺简单、功耗超低等特点横扫集成电路（IC）领域。例如，华为海思麒麟9000、苹果A14、高通骁龙888等指甲盖大小的芯片中就集成了一两百亿个MOS晶体管！

而纳米尺度、高导稳定的沟道材料可以使沟道尺寸进一步降低，推进尺寸更小、能效更高、功耗低的芯片制程，支撑新兴科技产业的蓬勃发展。为人类带来更好的生活，我将义不容辞！