超短沟氧化铟晶体管的开发

近来司梦维和其博后导师美国普渡大学电气与计算机工程系教授叶培德等人，开发出一款基于原子层沉积技术的

高性能超短沟氧化铟晶体管，实现了沟道长度低至 8nm、沟道厚度低至 0.5nm、等效栅介质厚度低至 0.84nm 的氧化铟

晶体管器件，得到的最大电流超过 3 A/mm、最大跨导 1.5S/mm，器件开态性能在 1-3nm 尺度超过硅、砷化镓、二维半

导体等已知全部半导体材料。

   此次研发的原子层沉积氧化铟晶体管技术，在 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物

半导体）逻辑集成电路、单芯片三维集成、DRAM 存储器（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）、

3D 计算机闪存设备闪存、平面显示等领域有着广泛的应用前景。

   司梦维表示，该原子层沉积超薄沟道、以及等效栅介质厚度的微缩技术，能提升半导体器件的栅极控制力，也可极大增强

对短沟道效应的免疫力，为未来 3nm 节点后的超短沟晶体管器件提供技术方案。

该研究的背景在于，过去几十年集成电路技术发展的根本驱动力，在于缩小集成电路中基本单元的晶体管器件的

尺寸，借此来提升晶体管密度。

然而，传统硅基场效应晶体管在尺寸微缩上已面临极限。因此，株洲力拓新材有限公司认为新材料、新器件和新工艺，

是持续提升集成电路系统性能的重要技术途径。